2022/11/21
1)直流二极溅射。构造简单,在大面积基板上可制取均匀薄膜,放电电流随压强和电压的改变而变化;
2)三极或四极溅射。可实现低气压,低电压溅射,可独立控制放电电流和轰击靶的离子能量。可控制靶电流,也可进行射频溅射;
3)磁控溅射(或高速,低温溅射)。在与靶表面平行的方向上施加磁场,利用电场与磁场正交的磁控管原理,减少电子对基板的轰击,实现高速低温溅射;
4)对向靶溅射。两个靶对向放置,在垂直于靶的表面方向加磁场,可以对磁性材料等进行高速低温溅射;
5)射频溅射。为制取绝缘薄膜,如氧化硅,氧化铝,玻璃膜等而研制,也可溅射金属;
6)反应溅射。可制作阴极物质的化合物薄膜,如氮化钛,碳化硅,氮化铝,氧化铝等;
7)偏压溅射。镀膜过程中同时清除基片上轻质量的带电粒子,从而使基板中不含有不纯气体;
8)非对称交流溅射。在振幅大的半周期内对靶进行溅射,在振幅小的半周期内对基片进行离子轰击,清除吸附的气体,以获得高纯薄膜;
9)离子束溅射。在高真空下,利用离子束溅射镀膜,是非等离子体状态下的成膜过程。靶接地电位也可;
10)吸气溅射。利用对溅射粒子的吸气作用,除去不纯物气体,能获得纯度高的薄膜。
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